半導体ウエハー用無電解ワイヤーボンディング用金めっき加工
Plating Process | Plating Thickness | Wafer Size | Wafer Thickness | Pad | Pad Size |
ENIG (無電解Ni/FAu) | Ni: 0.5~10um Pd: 0.02~0.8um Au: 0.02~0.8um | 小片~ 8inch | 300um ~ 2mm ※300um以下のWafer は必要に応じてテープにより補強 | Al | Φ10um~ めっき対応可 |
ENIGAG (無電解Ni/厚Au) | Al-Si | ||||
ENEPIG (無電解Ni/Pd/FAu) | Al-Si-Cu | ||||
ENEPIGAG (無電解Ni/Pd/厚Au) | Al-Cu | ||||
Cu |