半導体ウエハー用無電解ワイヤーボンディング用金めっき加工
| Plating Process | Plating Thickness | Wafer Size | Wafer Thickness | Pad | Pad Size |
| ENIG （無電解Ni/FAu） | Ni： 0.5～10um Pd： 0.02～0.8um Au： 0.02～0.8um | 小片～ 8inch | 300um ～ 2mm ※300um以下のWafer は必要に応じてテープにより補強 | Al | Φ10um～ めっき対応可 |
| ENIGAG （無電解Ni/厚Au） | Al-Si | ||||
| ENEPIG （無電解Ni/Pd/FAu） | Al-Si-Cu | ||||
| ENEPIGAG （無電解Ni/Pd/厚Au） | Al-Cu | ||||
| Cu |
無電解めっきによるボンダビリティの改善
Alパッド上に無電解Ni/Pd/AuめっきによるUBMを形成し、Cuワイヤー実装評価を実施。
半導体ウエハーUBM めっき Au バンプシェア試験
Auバンプシェア試験
| 測定Pad | ベタパターン |
| 測定装置 | Dage 4000Plus |
| 測定条件 | TEST SPEED: 250μm/s SHEAR HEIGHT: 5μm |
| Auバンプ | ワイヤー径: 25um Auバンプ径: 90um |
| 熱履歴 | プリベーク無し |
| 測定数 | 20point |
| 破断モード | A：下地露出 0〜5％ B：下地露出 6〜25％ C：下地露出 26〜50％ D：下地露出 50％以上 |
