半導体ウエハー用無電解ワイヤーボンディング用金めっき加工

Plating ProcessPlating ThicknessWafer SizeWafer ThicknessPadPad Size
ENIG
(無電解Ni/FAu)
Ni: 0.5~10um
Pd: 0.02~0.8um
Au: 0.02~0.8um
小片~
8inch
300um ~ 2mm
※300um以下のWafer
は必要に応じてテープにより補強
AlΦ10um~
めっき対応可
ENIGAG
(無電解Ni/厚Au)
Al-Si
ENEPIG
(無電解Ni/Pd/FAu)
Al-Si-Cu
ENEPIGAG
(無電解Ni/Pd/厚Au)
Al-Cu
Cu

無電解めっきによるボンダビリティの改善

Alパッド上に無電解Ni/Pd/AuめっきによるUBMを形成し、Cuワイヤー実装評価を実施。

ボンディングのプロセスウィンドウがAlパッドより大幅に改善
ワイヤーボンディング歩留まり向上
<ボールシェア強度> プロービング前・後ともにボンディング条件を変化させてもボールシェア強度は安定しており、接合性は良好。

半導体ウエハーUBM めっき Au バンプシェア試験

Auバンプシェア試験
測定Padベタパターン
測定装置Dage 4000Plus
測定条件TEST SPEED: 250μm/s
SHEAR HEIGHT: 5μm
Auバンプワイヤー径: 25um
Auバンプ径: 90um
熱履歴プリベーク無し
測定数20point
破断モードA:下地露出 0〜5%
B:下地露出 6〜25%
C:下地露出 26〜50%
D:下地露出 50%以上