所有装置
走査型電子顕微鏡(SEM) エネルギー分散型X線分析装置(EDS) | 日本電子製 JSM-5600(SEM) 日本電子製 JED-2200(EDS) |
フーリエ変換型赤外分光光度計(FT-IR) | VARIAN製 3100-600UMA |
蛍光X線分析装置(※含P率測定) | 日立ハイテクサイエンス製 SEA5120 |
セミオートワイヤーボンディング装置(Auワイヤ) | ウエストボンド製 MODEL 454647E |
セミオートワイヤーボンディング装置(Au、Ag、Cuワイヤー) | TPTジャパン製 HB16 |
ワイヤープルテスター | RHESCA製 PTR-03S |
万能型ボンドテスター | DAGE製 4000Plus |
マイクロスコープ | キーエンス製 VHX-1000 |
密着測定機 | QUAD GROP製 ROMULUS |
高性能集束イオンビーム装置(FIB) | 日立ハイテクサイエンス製 SMI3050 |
電界放射形走査電子顕微鏡(FE-SEM) エネルギー分散型X線分析装置(EDS) | 日立ハイテクノロジーズ製 SU-70 OXFORD製 x-act(EDS [SDD検出器]) |
イオンミリング装置 | 日立ハイテクノロジーズ製 E-3500 |
リフローシミュレーター | マルコム社製 SRS-1C |
レーザー顕微鏡・AFM | Lasertec製 H-1200 |
接触角計 | 協和界面科学製 DM-501 |
自動精密切断機 | 三啓製 アイソメット4000 |
透過X線装置 | DAGE製 XD7600NT |
X線光電子分光装置(XPS) | サーモフィッシャー・サイエンティフィック製 K-Alpha+ |
プラズマ処理装置(プロセスガスO2など) | March製 PCB2800、Max Via |
走査電子顕微鏡システム(FE-SEM+EDX)
従来SEMとの性能比較
従来SEM | FE-SEM(SU-70) | ||
観察・分析倍率 | ×35~×10,000 | ×35~×300k | |
分解能 | 3~4nm(加速電圧:@15kV) | 1nm(加速電圧:@15kV) |
従来SEMとの画像比較
従来SEM
FE-SEM(SU-70)
高倍率観察画像(断面)
FIB
FE-SEM(SU-70)
EDX(オックスフォード社製)による分析・・・マッピング
- 分析サンプルNi/Pd/Au、FIB加工断面
- 倍率×30,000
- 加速電圧5kV
- 傾斜60度
- 分析時間3min
フーリエ変換型赤外分光光度計(FT-IR)
解析記事例
「クリーンルーム内の落下塵(幅20μmの繊維状)の分析」 スペクトルデーターベースの照合結果(赤線)、ポリエステルと判明。 室外からの持ち込み、防塵着からの発塵の可能性が示唆された。
蛍光X線装置
表面元素分析
めっき中のPb,Cdの含有量測定など
セミオートワイヤーボンディング装置
ワイヤーボンディング装置
ワイヤープルテスター
ワイヤーボンダー/ボンドテスター
ワイヤーボンダー(Au/Ag/Cu)
万能型ボンドテスター(プルテスター)
高性能集束イオンビーム装置(FIB)
FIB断面観察
イオンビームによる微細部の加工・観察
最大観察倍率:9万倍
加工限界:幅100μm、深さ50μm
解析事例
イオンミリング装置
試料にアルゴンイオンビームの一部を照射し、
平坦な試料断面を作製する。
- 最大試料サイズ 20mm×12mm、厚さ5mm
- 使用ガス Ar(アルゴン)ガス
- ミリングレート 100µm/hr (材料:Siの場合)
加工例(PCB-WB端子断面 約3hr加工)
FIB | イオンミリング | |
加工幅 | 数µm~数十µm | 数百µm~1mm |
加工深度 | ~数十µm | ~数百µm |
加工精度 | 数µm単位 | 数十µm単位 |
加工のポイント
- 加工目的位置が、試料端面から100μm以内になるように試料を切り出しておく。
- 試料は端面をヤスリで削るなどして、ある程度平坦にしておく。
- 凹凸が大きいとマスクとの密着が取れなくなるため、上面部をヤスリで削るか又は樹脂で埋め込むなどし、ある程度平坦にしておく。
- ビームによるダメージが大きい場合は、加速電圧・引き出し電圧・スウィングスピードなどの加工条件を調整する。
レーザー顕微鏡・AFM
レーザー顕微鏡粗さ測定
測定装置:レーザーテック製 H-1200
レーザー顕微鏡
レーザー光による試料表面観察と表面粗さ測定が可能
測定精度:幅0.1um、高さ0.1um
AFM
試料と探針の原子間力による粗さ測定が可能
測定精度:幅0.01um、高さ0.01um
解析事例
透過X線装置
透過X線装置
試料にX線を照射し、透過X線を検出器に投影させ、試料内部を非破壊で観察可能
①2D:上面からの観察
②加熱観察:試料を加熱しながら観察
③CT:観察像を3Dや断層に変換して観察
X線光電子分光装置
X線光電子分光装置
試料表面にX線(特定波長の軟X線)を照射し、試料から放出される光電子(光電子)のエネルギーを測定することにより、試料表面に存在する元素組成を分析できる装置
対応可能な分析内容
①最表面元素分析
②深さ方向分析(デプスプロファイル)
③絶縁物測定(帯電中和機能)
④状態分析(化学結合状態の分析)
⑤ステージスキャンマッピング分析
装置概要
- X線源:Al
- X線スポット径:30um~400um (※スポット径が大きい方が高感度で、短時間での測定が可能)
- 最大試料サイズ:60mm×60mm
- 最大試料厚み:20mm
- 分析深度:最表面から数nm(~10nm未満)
分析の原理
MgやAl表面に電子線を照射すると、長い波長の軟X線が発生。その軟X線を試料表面に照射すると、光電子が放出される。光電子は原子固有のエネルギーを持っているため、そのエネルギーを測定することで試料表面に存在する元素組成や、化学結合状態を分析することができる。(Li~Uまで分析可能)
装置構成
K-Alpha+の特徴
高感度(微量元素も検出可能)
高分解能(ピーク分離がより正確にできる)
全自動により操作性向上