難素材へのダイレクトめっき加工

簡便に金属皮膜形成が出来ますめっき法にて、従来は適用の難しかった難めっき素材へ直接メタライズを行います。

素材特徴
アルミアルミ材料は表面に酸化皮膜が形成し易く、めっき皮膜形成のために従来は亜鉛置換を行うジンケート処理を行うのが一般的です。本工程では、ジンケート処理を行わず、直接、めっき処理が可能なため、簡便に金属皮膜形成が可能です。
ガラスガラスへのめっき皮膜形成は従来、粗化処理によるアンカー効果と触媒付与等のシード層形成が必要でしたが、本工程は特殊な高速DRY工程を組み合わせることで、簡便に、厚付けめっき皮膜形成が可能です。シードレスですのでエッチングも容易です。
ポリイミドDRYプロセスを用いず、めっき皮膜形成が可能です。プライマー塗布方式、直接めっき方式 何れでも対応致します。
SUSNi下地めっきレスにて、Au,Cuめっきが可能です。
アルミリードフレームへのダイレクトAuめっき
SUSメッシュへのダイレクトAuめっき
ポリイミド/Cuめっき界面 x30K
ガラス基板・スルーホール内へのCuめっき

超耐食性Ni めっき加工 A-NI

電子製品等における電極体等におきまして、その接続や集電極においては、長期信頼性面から各種金属電極素材への耐食性向上のための表面処理技術が課題です。
本製品は、0.2μという薄い電解めっき法での塗膜にも関わらず、極めて高い耐食性を有しています。

硝酸ばっき試験

硝酸:69vol% ・温度:室温(23~25℃・時間:1時間、2 時間)
素材:C1020

ITO上への無電解めっきによる金属皮膜の形成

現行製造法
  • スパッタによるAI合金の配線
  • 腐食防止のためTiN保護膜のため配線が太い→微細化が困難
  • 配線抵抗が高い
  • コストが高い
めっき法
  • 無電解Ni/Au めっき、およびCuめっきによりITO上のみ選択的に金属皮膜化が可能
  • 保護膜が不要なため、微細化が可能
  • コストが低い

ガラス基板ITOめっき工程について

ITO上無電解Ni/Auめっき

ITOおよびガラスの表面粗化状態(エッチング前後の変化)

ITOの選択的エッチングによりITOは約4倍の表面粗さになったが、ガラスの表面粗さは変化していないことが確認されました。

ガラスへのダイレクトめっき

通常、ガラスへの直接めっきは密着性を確保するために、フッ酸等でガラス表面を強力に粗化しますが、弊社開発工程では素材をほとんど荒らさない独自の前処理と、独自の均一性の高い無電解めっきを採用することで鏡面光沢を持っためっき皮膜の形成が可能です。

無電解Niめっき
無電解Ni/Auめっき
無電解Cuめっき

めっき後の外観表面粗さ

素材をほとんど荒らさない弊社前処理により、ナノオーダーの表面粗さで高密着性のめっき皮膜を形成できます。

処理前 Ra:0.5nm
前処理後 Ra:1nm

PETフィルムへのCuめっき

通常、PETフィルムへのCuめっきを行う場合、無電解Ni めっきをシード層とします。この場合、CuとNiのエッチングレートが異なり、パターンニングが難しいことや前処理で用いるPd触媒が残渣し、透明性が失われることがあります。特殊なプライマーを塗布することにより、PETフィルムの透明性を維持し、パターンニングすることが可能です。なお、プライマー種によっては裏面を黒色に見せることも可能です。

工程

前処理

プライマー塗布

めっき前処理

無電解Cuめっき

電解Cuめっき

めっき処理面
裏面

材料   :ルミラーU40シリーズ(東レ)
材料厚  :0.1mm
銅めっき厚:8μm狙い (無電解Cuめっき+電解Cuめっき)

粗化ニッケルめっき

樹脂との密着性向上などの用途に、めっき皮膜を粗化させて表面積を増加させたニッケルめっきが作製可能です。表面全体に凹凸があり、Rzは2.0μmを超えております。

FE-SEM二次電子像(40°傾斜)
粗化ニッケルめっき例
材料:銅板
Niめっき厚:5.0μm〜
凹凸測定(レーザー顕微鏡)
粗さ測定結果
Ra 0.31um
Rz 2.04um

チタン上ダイレクト金めっき、ステンレス上ダイレクト銅めっき

めっき難素材に代表されるチタンにダイレクトで金めっきやニッケルめっきが可能です。素材とめっきの間に欠陥はなく、密着性も良好です。また、ステンレス上にダイレクトに密着の良い銅めっきも可能です。

チタンへのダイレクト金めっき例
材料:チタン
Auめっき厚:0.2μm〜
ステンレスのダイレクト銅めっき例
材料:SUS304
Auめっき厚:3.0μm

不織布へのめっき

不織布線維へ各種めっき皮膜を均一にコーティングする技術です。

材料:ポリオレフィン
Niめっき厚:0.1μm〜
材料:ポリエステル
Niめっき厚:0.1μm〜
FIB SIM像
FIB SIM像
材料:PP織布
Snめっき厚:0.5μm〜
断面 EDSマッピング

めっき + フォトリソエッチング

Cu電極付素材またはダイレクトめっきによりCu形成し、フォトリソエッチング工程でパターニングを行い、最終めっき処理(金等)を行う、トータル的に配線基材づくりのお手伝いを行います。

〜0.8㎜厚Cu付基材の配線づくりも行います
ガラス基板でのファインパターン形成
Cu付フィルム基板でのファインパターン形成

Au,Agナノ粒子ペーストを部分塗布しレーザで焼結する技術

ナノ粒子ペーストをインクジェット法にて製膜を行い、レーザーで局所加熱することで部分的なメタライズが可能です。マスクレスですので、簡易的な部分メタライズが可能です。
難めっき材である64チタンへも製膜可能です。

茨城大学、㈱M&M研究所との共同開発(特願2017-168700)

マスキングなしで様々な形状に対応可能(※基材:64チタン)

金属種Au, Ag
ベース基材64Ti, SUS304, Cu, コバール、Niめっき
基材形状100mm × 100mm × 高さ 45mm
平面、曲面の頂点付近(インクが垂れない角度)
膜厚0.1~0.3μm程度
最小エリアΦ200μm(表面粗さやインク塗布量で変わります)
金属膜形状任意形状を作製可能

マスク素材(PP, PE布:不織布)へのめっき

当社不織布へのめっき技術を応用して、抗菌作用が有ると言われるAg及びCuをマスク素材であるPP、PE不織布へめっき手法にて皮膜してみました。マスクガーゼのようにマスクに挟んで使用可能です。

PP布へのCuめっき

PP布へのAgめっき