基板タイプ プリント基板
ビルドアップ基板
フレシキブル基板
LTCC
セラミック基板
TAB/COF
テープ基板
備考
加工装置 ラック
全自動
ラック
全自動/半自動
フープ
全自動
加工サイズ
(mm)
510×600 200×200 材料厚/
0.025~0.125

材料巾/
35~165
めっき仕様により条件変更有

Ni(厚み:µm) 光沢
(3~5)
半光沢
(3~5)
無光沢
(3~5)

(2~5)

(0.1~10)※1
※1 スルファミン酸系を使用しています。
Au(厚み:µm) 純金
(0.5)

(0.1~)

(~1)
ワイアーボンディング用
Au/Au接合
硬質
(0.03~1.0)
接点用


Ni(厚み:µm) Ni-P
(2~5)

(2~5)
中Pタイプ
Au(厚み:µm) 薄付
(0.03~0.05)

(0.03~0.05)
表面実装用
半田付け用
厚付
(0.1~0.5)

(0.1~0.8)
ワイアーボンディング用
Au/Au接合
パラジウム(厚み:µm) 無電解
(0.1~)

(0.1~)
金めっきと組み合わせ使用
各仕様組合わせでのコンビめっき、部分めっき加工承ります。 厚膜印刷基板(Ag系配線)専用工程です。
Cu、W等承ります。
無電解Snめっき、レジスト印刷加工も承ります。

電解タイプ

めっき仕様対応めっき厚(μm)生産能力ワークサイズ(mm)
無光沢Ni/純AuNi 0.50〜10.015,000枚/日一般仕様
100 × 100 〜510 × 600
(MAX 1,000 × 1,000)
Au 0.03〜1.0
半光沢Ni/純AuNi 0.50〜10.0
Au 0.03〜1.0
無光沢Ni/硬質AuNi 0.50〜10.03,000枚/日
Au 0.03〜1.0
半光沢Ni/硬質AuNi 0.50〜10.0
Au 0.03〜1.0
半光沢Ni/光沢AgNi 0.50〜10.02,000枚/日
Ag 0.50〜3.0
無光沢NiのみNi 0.50〜10.01,000枚/日
半光沢NiのみNi 0.50〜10.0
ダイレクト 純AuAu 0.03〜1.0
ダイレクト 硬質AuAu 0.03〜1.0
ダイレクト 光沢AgAg 0.50〜3.0
部分Au/光沢Ag ※1各仕様による各仕様による
2色めっき ※2

電解めっきは、弊社専用の給電接点が必要になります。事前にお打合せを御願い致します。
上記対応めっき厚以外にも、ご相談頂ければ処理は可能です。

※1 部分めっきは、マスク治具・テープマスクによるめっきの他、リード接続部のみの厚付も可
※2 用途に合わせた組み合わせで、片面ずつ別の仕様でめっきが可能
例)

  • 全面無電解Ni/フラッシュAu → 片面マスク → もう片面にAuまたはAgの上乗せ
  • 片面硬質Auめっき → もう片面に無光沢Ni/純Au、または半光沢Ni/Ag (片面ずつマスキング)
  • 全面無電解Ni/フラッシュAu → リード接続部のみAuまたはAgの上乗せ(マスクなし)等

その他の仕様についても、お問合せ下さい。

無電解タイプ

めっき仕様めっき種類対応めっき厚(μm)生産能力ワークサイズ(mm)
Ni/薄付けAuNi2〜105,000枚/日100 × 100〜 610 × 710
置換Au0.02〜0.08
Ni/薄付けAu
(低腐食型置換Au)
Ni2〜10
低腐食型置換Au0.02〜0.08
部分Ni/薄付けAu
(DF対応)
Ni2〜101,000枚/日100 × 100〜 610 × 710
低腐食型置換Au0.02〜0.08
Ni/Pd/Au
(置換Au)
3層仕様
Ni2〜105,000枚/日100 × 100〜 570 × 870
Pd0.02〜1.0
置換Au0.02〜0.04
Ni/Pd/Au
(置換厚付けAu)
3層仕様
Ni2〜10
Pd0.02〜1.0
置換厚付けAu0.05〜0.3
Ni/Pd/Au
(置換Au + 還元Au)
4層仕様
Ni2〜102,000枚/日100 × 100〜 570 × 870
Pd0.02〜1.0
置換Au + 還元Au0.05〜0.5
Ni/厚付けAu
(還元Au)
Ni2〜105,000枚/日100 × 100〜570 × 870
還元Au0.05〜1.0
ダイレクトAu置換Au0.02〜0.151,000枚/日100 × 100〜 610 × 710

プリント基板/ビルドアップ基板/フレキシル基板用金めっき加工

Auめっき表面外観

電解Auめっき
無電解Auめっき

金めっき剥離後Niめっき表面概観

電解Niめっき
無電解Niめっき

無電解NiめっきP濃度 VS ターン数

無電解NiめっきP濃度 VS ターン数

無電解NiめっきP濃度 VS ターン数

電解 VS 無電解Auめっき(Ni:5µm、Au:0.5µm)

無電解NiめっきP濃度 VS ターン数

電解 VS 無電解Auめっき(Ni:5µm、Au:0.5µm)

ファインラインへの無電解金めっき

各種センサー用回路等において極めて微細な回路形成の要求が高まる中、その回路上への実装や機能付加の目的のために、無電解法でのめっき加工による金属皮膜形成が要求される場合、パターン間のショート対策において、高度な選択的めっき技術が要求されます。

Cu電極配線 5μ Line / 10μ Gap
無電解 Ni 0.5μ / Au 0.1μ

無電解Ni/Pd/Auめっき加工

Pdを挟んだ三層構造にすることで、はんだ接合性、耐熱性において特性向上が図れます。
微細ボール接合、耐熱仕様製品に最適です。

Auワイアープルテスト
ボールシェアテスト

LTCC基板(セラミック基板)用金めっき加工

LTCC基板のAg系配線への無電解金めっき加工(下地Niめっき)承ります。
耐熱仕様にて、Ni/Pd/Au3層めっきも可能です。

Au厚付けめっき基板強度特性

導体はんだ付け強度 エージング温度:150℃
めっき仕様

  • 下地導体Ag/Pt
  • めっき種類無電解 Ni/Au
  • めっき厚みNi=3µm Au=0.4µm”

Au厚付けめっきワイヤーボンディングテスト

めっき仕様

  • ワイヤーボンディングライドAu厚付けめっき
  • 導体Ag/Pt
  • めっきNi/3µm Au0.4µm(typ.)n=50
  • Auワイヤ30µmØAu
  • ボンダーkaijo118CH(フルオートAuワイヤーボンダー)

TAB/COF テープ連続電解Ni/Au めっき加工

めっき仕様

  • 材料厚25µ~125µ
  • 材料巾35mm~165mm
  • 基板種類両面4層可能、各種小型パッケージ HDDサスペンション向けファインピッチ製品に対応します。
  • めっきタイプスルファミン酸Ni/99.99%Au
  • めっき厚Ni 0.1~10µ Au 1µまで対応

注)給電方法はロール方式

半導体ウエハー用無電解ワイヤーボンディング用金めっき加工

近年、半導体ウエハ上実装パッド電極への無電解めっきによるUBM形成(Under Bump Metal)が注目される中、当社は長年培ってきました、プリント配線板等で使用されます実装用金めっき技術を活かし、安定したワイヤーボンディング対応用無電解金めっき加工が可能です。
SRやポリイミドが混在したウエハーにおいても、パッド部へ選択的なボンディング用金めっき加工が可能です。

弊社対応可能プロセス

セミオートライン(〜8inch)

オートライン(〜8inch 試作対応は12inchも可)

半導体ウエハーUBM めっき Au バンプシェア試験

Auバンプシェア試験
測定Padベタパターン
測定装置Dage 4000Plus
測定条件TEST SPEED: 250μm/s
SHEAR HEIGHT: 5μm
Auバンプワイヤー径: 25um
Auバンプ径: 90um
熱履歴プリベーク無し
測定数20point
破断モードA:下地露出 0〜5%
B:下地露出 6〜25%
C:下地露出 26〜50%
D:下地露出 50%以上

Wafer検査装置

膜厚測定:高精度蛍光X線膜厚計

測定装置:日立ハイテクサイエンス製 FT150

FT150
微小領域の高精度測定

  • 薄膜の膜厚測定を高速で簡便に行える最新機種を導入
  • ビーム径を30μm まで絞ることができ、100μm を下回る微小Pad の膜厚測定が可能
  • 多層膜の測定スピードは従来機種と比較して2倍以上に高速化

外観検査:金属顕微鏡

測定装置:ニコンインステック製 ECLIPSE L300N

明視野観察
暗視野観察
微分干渉観察

  • ウェハー専用ステージを備えた、外観検査装置として実績の高い機種を導入
  • 明視野、暗視野、微分干渉など各種観察方法に対応

外観検査:ウェハローダー

測定装置:ニコンインステック製 NWL200TMB86(6,8inch 対応)

  • ウェハの外観のマクロ検査や裏面検査を行い、ウェハを自動で顕微鏡ステージに搬送する装置を導入
  • ノッチやオリフラの方向合わせも可能

治工具類の活用

ウェハ移載機
ノッチアライナー
ウェハのハンドリングを少なくし、破損等のリスクを低減するため各種治工具類を導入