電子基板・半導体への貴金属めっき

基板タイプ			プリント基板ビルドアップ基板フレシキブル基板	LTCC セラミック基板	TAB/COF テープ基板	備考
加工装置			ラック全自動	ラック全自動／半自動	フープ全自動
加工サイズ（mm）			510×600	200×200	材料厚/ 0.025～0.125 材料巾/ 35～165	めっき仕様により条件変更有
電解	Ni（厚み：µm）	光沢	（3～5）
		半光沢	（3～5）
		無光沢	（3～5）	（2～5）	（0.1～10）※1	※1 スルファミン酸系を使用しています。
	Au（厚み：µm）	純金	（0.5）	（0.1～）	（～1）	ワイアーボンディング用 Au/Au接合
	Au（厚み：µm）	硬質	（0.03～1.0）			接点用
無電解	Ni（厚み：µm）	Ni-P	（2～5）	（2～5）		中Pタイプ
	Au（厚み：µm）	薄付	（0.03～0.05）	（0.03～0.05）		表面実装用半田付け用
	Au（厚み：µm）	厚付	（0.1～0.5）	（0.1～0.8）		ワイアーボンディング用 Au/Au接合
	パラジウム（厚み：µm）	無電解	（0.1～）	（0.1～）		金めっきと組み合わせ使用
			各仕様組合わせでのコンビめっき、部分めっき加工承ります。	厚膜印刷基板（Ag系配線）専用工程です。 Cu、W等承ります。	無電解Snめっき、レジスト印刷加工も承ります。

プリント基板の詳細仕様はこちら

電解タイプ

めっき仕様	対応めっき厚(μm)	生産能力	ワークサイズ(mm)
無光沢Ni／純Au	Ni 0.50〜10.0	15,000枚／日	一般仕様 100 × 100 〜510 × 600 (MAX 1,000 × 1,000)
無光沢Ni／純Au	Au 0.03〜1.0
半光沢Ni／純Au	Ni 0.50〜10.0
半光沢Ni／純Au	Au 0.03〜1.0
無光沢Ni／硬質Au	Ni 0.50〜10.0	3,000枚／日
無光沢Ni／硬質Au	Au 0.03〜1.0
半光沢Ni／硬質Au	Ni 0.50〜10.0
半光沢Ni／硬質Au	Au 0.03〜1.0
半光沢Ni／光沢Ag	Ni 0.50〜10.0	2,000枚／日
半光沢Ni／光沢Ag	Ag 0.50〜3.0	2,000枚／日
無光沢Niのみ	Ni 0.50〜10.0	1,000枚／日
半光沢Niのみ	Ni 0.50〜10.0
ダイレクト純Au	Au 0.03〜1.0
ダイレクト硬質Au	Au 0.03〜1.0
ダイレクト光沢Ag	Ag 0.50〜3.0
部分Au／光沢Ag ※1	各仕様による	各仕様による
２色めっき ※2	〃	〃

電解めっきは、弊社専用の給電接点が必要になります。事前にお打合せを御願い致します。
上記対応めっき厚以外にも、ご相談頂ければ処理は可能です。

※1　部分めっきは、マスク治具・テープマスクによるめっきの他、リード接続部のみの厚付も可
※2　用途に合わせた組み合わせで、片面ずつ別の仕様でめっきが可能
例)

全面無電解Ni／フラッシュAu → 片面マスク → もう片面にAuまたはAgの上乗せ

片面硬質Auめっき → もう片面に無光沢Ni／純Au、または半光沢Ni／Ag （片面ずつマスキング）

全面無電解Ni／フラッシュAu → リード接続部のみAuまたはAgの上乗せ（マスクなし）等

その他の仕様についても、お問合せ下さい。

無電解タイプ

めっき仕様	めっき種類	対応めっき厚(μm)	生産能力	ワークサイズ(mm)
Ni／薄付けAu	Ni	2〜10	5,000枚／日	100 × 100〜 610 × 710
Ni／薄付けAu	置換Au	0.02〜0.08
Ni／薄付けAu (低腐食型置換Au)	Ni	2〜10
Ni／薄付けAu (低腐食型置換Au)	低腐食型置換Au	0.02〜0.08
部分Ni／薄付けAu (DF対応)	Ni	2〜10	1,000枚／日	100 × 100〜 610 × 710
部分Ni／薄付けAu (DF対応)	低腐食型置換Au	0.02〜0.08	1,000枚／日	100 × 100〜 610 × 710
Ni／Pd／Au (置換Au) ３層仕様	Ni	2〜10	5,000枚／日	100 × 100〜 570 × 870
	Pd	0.02〜1.0
	置換Au	0.02〜0.04
Ni／Pd／Au (置換厚付けAu) ３層仕様	Ni	2〜10
	Pd	0.02〜1.0
	置換厚付けAu	0.05〜0.3
Ni／Pd／Au (置換Au + 還元Au) ４層仕様	Ni	2〜10	2,000枚／日	100 × 100〜 570 × 870
	Pd	0.02〜1.0
	置換Au + 還元Au	0.05〜0.5
Ni／厚付けAu (還元Au)	Ni	2〜10	5,000枚／日	100 × 100〜570 × 870
Ni／厚付けAu (還元Au)	還元Au	0.05〜1.0	5,000枚／日	100 × 100〜570 × 870
ダイレクトAu	置換Au	0.02〜0.15	1,000枚／日	100 × 100〜 610 × 710

プリント基板／ビルドアップ基板／フレキシル基板用金めっき加工

Auめっき表面外観

電解Auめっき

無電解Auめっき

金めっき剥離後Niめっき表面概観

電解Niめっき

無電解Niめっき

無電解NiめっきP濃度 VS ターン数

電解 VS 無電解Auめっき（Ni：5µm、Au：0.5µm）

無電解NiめっきP濃度 VS ターン数

電解 VS 無電解Auめっき（Ni：5µm、Au：0.5µm）

ファインラインへの無電解金めっき

各種センサー用回路等において極めて微細な回路形成の要求が高まる中、その回路上への実装や機能付加の目的のために、無電解法でのめっき加工による金属皮膜形成が要求される場合、パターン間のショート対策において、高度な選択的めっき技術が要求されます。

Cu電極配線　5μ Line / 10μ Gap
無電解　Ni 0.5μ / Au 0.1μ

無電解Ni/Pd/Auめっき加工

Pdを挟んだ三層構造にすることで、はんだ接合性、耐熱性において特性向上が図れます。
微細ボール接合、耐熱仕様製品に最適です。

Auワイアープルテスト

ボールシェアテスト

LTCC基板（セラミック基板）用金めっき加工

LTCC基板のAg系配線への無電解金めっき加工（下地Niめっき）承ります。
耐熱仕様にて、Ni/Pd/Au3層めっきも可能です。

Au厚付けめっき基板強度特性

導体はんだ付け強度　エージング温度：150℃

めっき仕様

下地導体Ag/Pt
めっき種類無電解 Ni/Au
めっき厚みNi＝3µm　Au＝0.4µm”

Au厚付けめっきワイヤーボンディングテスト

めっき仕様

ワイヤーボンディングライドAu厚付けめっき
導体Ag/Pt
めっきNi/3µm　Au0.4µm（typ.）n＝50
Auワイヤ30µmØAu
ボンダーkaijo118CH（フルオートAuワイヤーボンダー）

TAB／COF テープ連続電解Ni／Au めっき加工

めっき仕様

材料厚25µ～125µ
材料巾35mm～165mm
基板種類両面4層可能、各種小型パッケージ HDDサスペンション向けファインピッチ製品に対応します。
めっきタイプスルファミン酸Ni／99.99％Au
めっき厚Ni 0.1～10µ Au 1µまで対応

注）給電方法はロール方式

半導体ウエハー用無電解ワイヤーボンディング用金めっき加工

近年、半導体ウエハ上実装パッド電極への無電解めっきによるUBM形成（Under Bump Metal）が注目される中、当社は長年培ってきました、プリント配線板等で使用されます実装用金めっき技術を活かし、安定したワイヤーボンディング対応用無電解金めっき加工が可能です。
SRやポリイミドが混在したウエハーにおいても、パッド部へ選択的なボンディング用金めっき加工が可能です。

弊社対応可能プロセス

セミオートライン（〜8inch）

オートライン（〜8inch 試作対応は12inchも可）

半導体ウエハーUBM めっき　Au バンプシェア試験

Auバンプシェア試験

測定Pad	ベタパターン
測定装置	Dage 4000Plus
測定条件	TEST SPEED: 250μm/s SHEAR HEIGHT: 5μm
Auバンプ	ワイヤー径: 25um Auバンプ径: 90um
熱履歴	プリベーク無し
測定数	20point
破断モード	A：下地露出 0〜5％ B：下地露出 6〜25％ C：下地露出 26〜50％ D：下地露出 50％以上